RJ45 ICM 1G Base-T PoE++

1G Base-T и схема 1CT:1CT указывают на исполнение под гигабитную линию Base-T с симметричным отношением обмоток. Индуктивность 350 µH важна для согласования магнитной части: при подборе замены этот параметр нельзя игнорировать, потому что отклонение по индуктивности меняет поведение линии относительно требуемой Ethernet-обвязки.

PoE (720 mA) задаёт токовую нагрузку для питания по линии; если в проекте требуется больший ток, это уже не следует выводить из данной позиции без проверки спецификации узла. Диапазон -40°C to 85°C подходит для эксплуатации при отрицательных температурах и при нагреве внутри оборудования, но за пределами -40 и 85 использовать изделие по этим данным нельзя.

Габариты 32.5, 16.6 и 13.5 нужно закладывать в посадочное место вместе с исполнением Right Angle и монтажом THT: такая компоновка влияет на высоту над платой и направление вывода кабеля. Покрытие 6 µ", Shielded EMI Finger и TabDirection Up также относятся к механике и экранированию, поэтому при замене важно сверять не только 1G Base-T, но и ориентацию, посадку и контактную часть.