Загружаем для вас...
Загружаем для вас...
Для B2B-заказов цена, срок и состав поставки фиксируются в счёте. Каталог не является публичной офертой. НДС не облагается (продавец применяет УСН).
150 V по напряжению сток‑исток задают верхнюю границу по этому параметру: элемент рассчитан на цепи, где требуется такой уровень запаса по напряжению, и при подборе его нужно сопоставлять именно с этим значением. 50 A по току указывают на ориентацию на силовые режимы, где через MOSFET проходит замет
| Drain-source voltage | 150 V |
|---|---|
| Voltage | 10 V |
| Current | 50 A |
150 V по напряжению сток‑исток задают верхнюю границу по этому параметру: элемент рассчитан на цепи, где требуется такой уровень запаса по напряжению, и при подборе его нужно сопоставлять именно с этим значением. 50 A по току указывают на ориентацию на силовые режимы, где через MOSFET проходит заметная токовая нагрузка; на практике это означает, что при выборе нельзя выходить за пределы этого тока и нужно проверять соответствие режима сразу по двум основным ограничениям — 150 V и 50 A.
10 V по управляющему напряжению — это опорное значение для режима управления, на которое нужно ориентироваться при согласовании с драйвером затвора. В связке с 150 V и 50 A это показывает, что компонент относится к силовым MOSFET, где важна не только допустимая нагрузка по силовой цепи, но и корректная подача именно 10 V на управление: при сравнении с аналогами ключевыми будут те же три числа — 150 V, 50 A и 10 V — без выхода за любой из этих пределов.
По товару «ON Semiconductor NTDS015N15MC Shielded Gate PowerTrench® MOSFET» пока нет опубликованных отзывов покупателей. Зарегистрированные пользователи смогут оставить отзыв после покупки.
Войти и написатьМы не публикуем сгенерированные оценки и не размечаем отзывы в JSON-LD, пока нет подтвержденных отзывов после покупки.