ON Semiconductor NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET

800 V по параметру Drain-source voltage задаёт предельное напряжение между стоком и истоком, при котором MOSFET сохраняет работоспособность без пробоя. Такой уровень допускает применение в цепях с высокими шинами постоянного напряжения и в схемах с существенными выбросами, где требуется запас по пробивному напряжению. Указанный ток 13 A определяет допустимую нагрузку по току и ограничивает выбор режима — при проектировании необходимо обеспечивать, чтобы рабочий ток не превышал 13 A с учётом условий охлаждения и характера нагрузки.

400 V по параметру Voltage указывает на дополнительное номинальное напряжение, которое должно учитываться при выборе точки включения в конкретной схеме. В сочетании с 800 V по сток-исток это задаёт область применения в высоковольтных преобразователях и силовых каскадах, где важен баланс между допустимым напряжением и током 13 A. При сравнении с решениями на более низкое напряжение данный вариант ориентирован на схемы с повышенными требованиями к электрической прочности, при этом токовая нагрузка остаётся ограниченной значением 13 A.